Anterwell Technology Ltd.

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3 pines del transistor

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De buena calidad chips CI programables para las ventas
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Comentarios de cliente
Hemos cooperar con Anterwell cerca de 7 años. siempre muy buena calidad buen servicio. entrega original y muy rápido. Una muy buena pareja.

—— Clemente De Brzail

Estoy haciendo negocios con Anterwell a partir de 2006, desde pequeñas a grandes pedidos. ¡De confianza!

—— Ingalill desde Suecia

Sharon es una niña muy buena, estamos muy contentos de cooperar con ella. precio competitivo y profesional. Nunca tienen un problema de calidad con ellos.

—— Alfredo De EE.UU.

siempre comprar piezas de XILINX Anterwell. Alta calidad con buen precio. La esperanza puede tener más negocios con usted.

—— Sr. Babak Desde Irán

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3 pines del transistor

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China Los TRIAC de BTA41-600BRG 40A accionan los transistores del mosfet del poder del rf de los transistores del mosfet del poder más elevado de los componentes de la CRT TV del chip CI fábrica

Los TRIAC de BTA41-600BRG 40A accionan los transistores del mosfet del poder del rf de los transistores del mosfet del poder más elevado de los componentes de la CRT TV del chip CI

Serie BTA40, BTA41 y BTB41 DESCRIPCIÓN Disponible en paquetes del poder más elevado, la serie de BTA/BTB40-41 es conveniente para la transferencia de fines generales de la CA. Pueden ser utilizados como función ... Read More
2017-12-07 11:09:41
China La placa de circuito del transistor de IRF9540NPBF TO-220 salta la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado fábrica

La placa de circuito del transistor de IRF9540NPBF TO-220 salta la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado

IRF9540NPBF puente rectificador apaciguado vidrio la monofásico 0.5Amp 50 a 1000 voltios Características: Sin plomo Tecnología de proceso avanzada Grado dinámico de Dt/Dv temperatura de funcionamiento 175°C ... Read More
2017-12-07 11:09:40
China B20200G se doblan mosfet de alto voltaje de la energía baja del mosfet del poder de la transferencia del rectificador de Schottky de la barrera del MOS del foso fábrica

B20200G se doblan mosfet de alto voltaje de la energía baja del mosfet del poder de la transferencia del rectificador de Schottky de la barrera del MOS del foso

Rectificador de alto voltaje dual de Schottky de la barrera del MOS del foso CARACTERÍSTICAS • Tecnología del MOS Schottky del foso • Caída de voltaje delantera baja, pérdidas de la energía baja • Operación de ... Read More
2017-12-07 11:09:40
China PODER COMPLEMENTARIO DARLINGTONS 5,0 A, 100 V, mosfet dual del SILICIO de MJF122G del poder del mosfet del poder de alto voltaje de 30 W fábrica

PODER COMPLEMENTARIO DARLINGTONS 5,0 A, 100 V, mosfet dual del SILICIO de MJF122G del poder del mosfet del poder de alto voltaje de 30 W

Poder complementario Darlingtons Para los usos aislados del paquete Diseñado para los amplificadores del general−purpose y los usos de la transferencia, donde la superficie de montaje del dispositivo se ... Read More
2017-12-07 11:09:40
China Transistores de poder plásticos del silicio complementario de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor de BD243C TO-220 fábrica

Transistores de poder plásticos del silicio complementario de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor de BD243C TO-220

BD244B, BD244C* (PNP) Transistores de poder plásticos del silicio complementario Características •Colector - voltaje de saturación del emisor - VCE (sentado) = 1,5 VDC (de máximo) @ IC = 6,0 ADC •Voltaje de ... Read More
2017-12-07 11:09:40
China 70CRU02 rectificador ultrarrápido, 2 x 35 transistores de FRED PtTM del poder más elevado del mosfet de los transistores del rf de un mosfet del poder fábrica

70CRU02 rectificador ultrarrápido, 2 x 35 transistores de FRED PtTM del poder más elevado del mosfet de los transistores del rf de un mosfet del poder

Rectificador ultrarrápido, 2 x 35 UN FRED pintaTM CARACTERÍSTICAS • Dos diodos del común-cátodo • Recuperación reversa ultrarrápida • Forma ultrarrápida de la corriente de recuperación reversa • Caída de ... Read More
2017-12-07 11:09:40
China IRFBC30 dual power mosfet Power Mosfet Transistor N-CHANNEL 600V 1.8 ohm TO-220 PowerMESH]II MOSFET fábrica

IRFBC30 dual power mosfet Power Mosfet Transistor N-CHANNEL 600V 1.8 ohm TO-220 PowerMESH]II MOSFET

IRFBC30 N - CHANNEL 600V - 1.8 Ω - 3.6A - TO-220 PowerMESHTM ΙΙ MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID IRFBC30 600 V < 2.2 Ω 3.6 A TO-220 ■ TYPICAL RDS(on) = 1.8 Ω ■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ■ 100% AVALANCHE TESTED ... Read More
2017-12-07 11:09:39
China IRF9540 power mosfet ic Power Mosfet Transistor 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs fábrica

IRF9540 power mosfet ic Power Mosfet Transistor 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

IRF9540, RF1S9540SM 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs These are P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and ... Read More
2017-12-07 11:09:39
China W20NM60 CANAL N 600V - 0.26ohm - MOSFET del PODER de 20A TO-220-TO-220FP-TO-247 FDmesh (con el DIODO RÁPIDO) fábrica

W20NM60 CANAL N 600V - 0.26ohm - MOSFET del PODER de 20A TO-220-TO-220FP-TO-247 FDmesh (con el DIODO RÁPIDO)

Canal N 600V - 0.26Ω - 20A - TO-220 - TO-220FP - MOSFET del poder de TO-247 FDmesh™ (con el diodo rápido) ■ altas capacidades de dv/dt y de la avalancha avalancha 100% del ■ probada Capacitancia de la entrada ... Read More
2017-12-07 11:09:39
China Comparadores duales del voltaje compensado del punto bajo de la energía baja de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor de poder de LM293GZ TO-92 fábrica

Comparadores duales del voltaje compensado del punto bajo de la energía baja de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor de poder de LM293GZ TO-92

LM193/LM293/LM393/LM2903 Comparadores duales del voltaje compensado del punto bajo de la energía baja Descripción general La serie LM193 consiste en dos comparadores independientes del voltaje de la precisión ... Read More
2017-12-07 11:09:38
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