Anterwell Technology Ltd.

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Chip CI del amplificador de los componentes de la electrónica del circuito integrado de LF357N en electrónica

De buena calidad chips CI programables para las ventas
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Chip CI del amplificador de los componentes de la electrónica del circuito integrado de LF357N en electrónica

China Chip CI del amplificador de los componentes de la electrónica del circuito integrado de LF357N en electrónica proveedor

Ampliación de imagen :  Chip CI del amplificador de los componentes de la electrónica del circuito integrado de LF357N en electrónica

Datos del producto:

Lugar de origen: Fábrica original
Nombre de la marca: Anterwell
Certificación: new & original
Número de modelo: LF357N

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: Negotiate
Detalles de empaquetado: éntreme en contacto con por favor para los detalles
Tiempo de entrega: día 1
Condiciones de pago: T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente: 8600pcs
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Descripción detallada del producto
Voltaje de fuente: ±18V Voltaje de entrada diferenciada: ±30V
Gama de voltaje de entrada: ±16V Gama de temperaturas de almacenamiento: −65˚C a +150˚C
Duración del cortocircuito de la salida: Continuo capacitancia de la entrada: 3 PF

 

Chip CI del amplificador de los componentes de la electrónica del circuito integrado de LF357N en electrónica

 

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
ZXMC3A16DN8TC 6800 ZETEX 14+ SOP8
LP2980IM5X-3.3 6802 NS 14+ SOT23-5
AO3406 6820 AOS 14+ SOT-23
APM4546KC-TRL 6850 ANPEC 16+ SOP-8
IRFU5505 6866 IR 16+ TO-251
MUR1640CTG 6880 EN 13+ TO-220
TOP247YN 6882 PODER 15+ TO-220
PIC16LF876A-I/SS 6885 MICROCHIP 16+ SSOP
UC3842BD 6888 ST 16+ SOP8
UCC2804D 6900 TI 14+ SOP8
LM385M3X-1.2 6999 NS 14+ SOT-23
BT136-600D 7000 PHILIPS 14+ TO-220
BYW29E-200 7000 NXP 16+ TO-220
FDC6323L 7000 FAIRCHILD 16+ SOT163
FT232BL 7000 FTDI 13+ LQFP-32
IRFP4568PBF 7000 IR 15+ TO-247
IRLML2502TR 7000 IR 16+ SOT23
LL4148 7000 VISHAY 16+ LL-34
LNK305PN 7000 PODER 14+ DIP7
MAX489ESD 7000 MÁXIMA 14+ SOP-14
MCP4922-E/SL 7000 MICROCHIP 14+ COMPENSACIÓN
MJD32CT 7000 EN 16+ SOT252
MM74HC595M 7000 FAIRCHILD 16+ SOP-16
P3055LDG 7000 NIKO 13+ TO-252
PIC24FJ64GA006-I/PT 7000 MICROCHIP 15+ TQFP
SN74HC595DWR 7000 TI 16+ SOIC16
STN790A 7000 ST 16+ SOT223
TD62083AFG 7000 TOSHIBA 14+ SOP18
TLP126 7000 TOSHIBA 14+ COMPENSACIÓN
TOP221PN 7000 PODER 14+ DIP8

 

 

LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357

Amplificadores operativos entrados JFET

 

Descripción general

Éstos son los primeros amplificadores operativos entrados JFET monolíticos a incorporar JFETs bien hecho juego, de alto voltaje en el mismo microprocesador con los transistores bipolares estándar (tecnología de BI-FET™). Estos amplificadores ofrecen prejuicio bajo de la entrada y las corrientes de la compensación/la deriva compensada del voltaje del punto bajo y del voltaje de la compensación, juntada con la compensación ajustan que no degrada el rechazo de la deriva o del común-modo.

 

Los dispositivos también se diseñan para la alta tarifa de ciénaga, ancho de banda amplio, tiempo de corrección extremadamente rápido, baja tensión y ruido actual y una esquina baja del ruido 1/f.

 

Características

Ventajas

  • Substituya FET costoso amperios de Op. Sys. del híbrido y del módulo
  • JFETs rugoso no prohibe a escape la dirección gratuita comparada con los dispositivos de entrada del MOSFET
  • Excelente para los usos de poco ruido usando la impedancia alta o baja de la fuente — esquina muy baja 1/f
  • La compensación ajusta no degrada el rechazo de la deriva o del común-modo como en la mayoría de los amplificadores monolíticos
  • La nueva etapa de la salida permite el uso de las cargas capacitivas grandes (5.000 PF) sin problemas de la estabilidad
  • Remuneración interna y capacidad grande del voltaje de entrada diferenciada

Usos

  • Integradores de la velocidad de la precisión
  • Convertidores rápidos de D/A y del A/D
  • Altos almacenadores intermediarios de la impedancia
  • Banda ancha, amplificadores de poco ruido, bajos de la deriva
  • Amplificadores logarítmicos
  • Amplificadores de fotocélula
  • Circuitos de muestra y de control

 

Características comunes

  • Corriente baja del prejuicio de la entrada: 30pA
  • Corriente compensada de la entrada baja: 3pA
  • Alta impedancia de entrada: 1012Ω
  • Corriente baja del ruido de la entrada: 0.01pA/√Hz
  • Alto ratio de rechazo del común-modo: DB 100
  • Aumento grande del voltaje de C.C.: DB 106

Características infrecuentes

  LF155/LF355 LF156/LF256/LF356 LF257/LF357 (AV =5) Unidades
Tiempo de corrección extremadamente rápido a 0,01% 4 1,5 1,5 µs
Tarifa de ciénaga rápida 5 12 50 V/µs
Ancho de banda amplio del aumento 2,5 5 20 Megaciclo
Voltaje bajo del ruido de la entrada 20 12 12 nV/√Hz

 

Grados máximos absolutos (nota 1)

Si los militares/el espacio aéreo especificaron los dispositivos se requieren, entran en contacto con la oficina de ventas del semiconductor/los distribuidores nacionales para la disponibilidad y las especificaciones.

  LF155/6 LF256/7/LF356B LF355/6/7
Voltaje de fuente ±22V ±22V ±18V
Voltaje de entrada diferenciada ±40V ±40V ±30V
Gama de voltaje de entrada (nota 2) ±20V ±20V ±16V
Duración del cortocircuito de la salida Continuo Continuo Continuo

TJMAX

  H-paquete

  N-paquete

  M-paquete

 

150˚C

 

 

 

115˚C

100˚C

100˚C

 

115˚C

100˚C

100˚C

Disipación de poder en TA = 25˚C (notas 1, 8)

  H-paquete (aún aire)

  H-paquete (flujo de aire de 400 LF/Min)

  N-paquete

  M-paquete

 

560 mW

1200 mW

 

 

 

400 mW

1000 mW

670 mW

380 mW

 

400 mW

1000 mW

670 mW

380 mW

Θ (típico)JA de la resistencia termal

  H-paquete (aún aire)

  H-paquete (flujo de aire de 400 LF/Min)

  N-paquete

  M-paquete

 

160˚C/W

65 ˚C/W

 

 

 

160˚C/W

65 ˚C/W

130 ˚C/W

195 ˚C/W

 

160˚C/W

65 ˚C/W

130 ˚C/W

195 ˚C/W

Θ (típico)JC de la resistencia termal

  H-paquete

 

23˚C/W

 

23˚C/W

 

23˚C/W

Gama de temperaturas de almacenamiento −65˚C a +150˚C −65˚C a +150˚C −65˚C a +150˚C

Información que suelda (temporeros de la ventaja.)

  El metal puede empaquetar soldar (el sec 10.)

  Dual-En-línea el soldar del paquete (sec 10.)

  Pequeño paquete del esquema

      Fase de vapor (sec 60.)

      Infrarrojo (sec 15.)

 

300˚C

260˚C

 

 

 

 

300˚C

260˚C

 

215˚C

220˚C

 

300˚C

260˚C

 

215˚C

220˚C

Tolerancia del ESD

  (100 PF descargados con 1.5kΩ)

 

1000V

 

1000V

 

1000V

Nota 1: La disipación de poder máxima para estos dispositivos se debe reducir la capacidad normal en las temperaturas elevadas y es dictada por TJMAX, el θJA, y la temperatura ambiente, TA. La disipación de poder disponible máxima en cualquier temperatura es PD= (TJMAX−TA)/θJA o el 25˚C PdMAX, cualquiera es menos.

Nota 2: Salvo especificación de lo contrario el voltaje de entrada negativo máximo absoluto es igual al voltaje de fuente de alimentación negativo.

 

Diagrama esquemático simplificado

Chip CI del amplificador de los componentes de la electrónica del circuito integrado de LF357N en electrónica

 

 

 

Contacto
Anterwell Technology Ltd.

Persona de Contacto: Miss. Sharon Yang

Teléfono: 86-755-61352205

Fax: 86-755-61352206

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)