Anterwell Technology Ltd.

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conductor del módulo de IC 7MBR75UB120-50 IGBT del módulo de poder del Mosfet de 1200V 75A PIM

De buena calidad chips CI programables para las ventas
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conductor del módulo de IC 7MBR75UB120-50 IGBT del módulo de poder del Mosfet de 1200V 75A PIM

China conductor del módulo de IC 7MBR75UB120-50 IGBT del módulo de poder del Mosfet de 1200V 75A PIM proveedor

Ampliación de imagen :  conductor del módulo de IC 7MBR75UB120-50 IGBT del módulo de poder del Mosfet de 1200V 75A PIM

Datos del producto:

Lugar de origen: Japón
Nombre de la marca: Pe
Certificación: Original Factory Pack
Número de modelo: 7MBR75UB120-50

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 3pcs
Precio: Negotiate
Detalles de empaquetado: éntreme en contacto con por favor para los detalles
Tiempo de entrega: 1
Condiciones de pago: T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente: 210pcs
Contact Now
Descripción detallada del producto
Porción no.: 22028 Actual: 75A
Disspation del poder del colector: 275W envío: DHL, FEDEX, UPS, TNT, EL CCSME
envío: DHL, FEDEX, UPS, TNT, EL CCSME Voltaje del Colector-Emisor: 1200 V
Voltaje del Colector-Emisor: 1200 V Voltaje del Puerta-Emisor: ±20 V
Voltaje del Puerta-Emisor: ±20 V

conductor del módulo de IC 7MBR75UB120-50 IGBT del módulo de poder del Mosfet de 1200V 75A PIM

 

 

 

MÓDULO de 7MBR75UB120-50 IGBT (serie) de U 1200V/75A/PIM

 

Características

. VCE bajos (sentados)

· Paquete compacto

· P.C. Módulo del soporte del tablero

· Circuito dinámico del freno del puente del diodo del convertidor

 

Usos

· Inversor para la impulsión de Motoe

· Amplificador servo de la impulsión de la CA y de DC

· Sistema de alimentación ininterrumpida

 

Grados y características máximos

Grados máximos absolutos (Tc=25°C salvo especificación de lo contrario)

 

Artículo Símbolo Condición Clasificación Unidad
Inversor Voltaje del Colector-Emisor Vces   1200 V
Voltaje del Puerta-Emisor Vges   ±20 V
Corriente de colector Ic Tc=25°C continuo
Tc=80°C
75
50
A
Icp 1ms Tc=25°C
Tc=80°C
150
100
- Ic   75
- Pulso de IC 1 ms 150
Disspation del poder del colector PC 1 dispositivo 275 W
Valiente Voltaje del Colector-Emisor Vces   1200 V
Voltaje del Puerta-Emisor Vges   ±20 V
Corriente de colector Ic Tc=25°C continuo
Tc=80°C
35
25
A
Icp 1ms Tc=25°C
Tc=80°C
70
50
Disspation del poder del colector PC 1 dispositivo 160 W
Voltaje reverso máximo repetidor Vrrm   1200 V
Convertidor Voltaje reverso máximo repetidor Vrrm   1600 V
Corriente de salida media b onda sinusoidal 50Hz/60Hz 75 A
Sobretensión (sin repetición)
L2t (sin repetición)
IFSM
l2T
Tj=150°C, 10ms
media onda sinusoidal
520
1352
Un2S
Temperatura de empalme de funcionamiento Tj   +150
Temperatura de almacenamiento Tstg   -40 a +125
Aislamiento
voltaje
entre el terminal y el cobre *2 bajo Viso CA: 1 minuto AC2500 V
entre el termistor y otros *3 AC2500 V
  Esfuerzo de torsión del tornillo de montaje     3,5 *1 Nanómetro

 

Valor recomendable *1: 2,5 a 3,5 N·m (M5)

*2 todos los terminales debe ser conectado junto cuando la prueba del aislamiento será hecha.

Los terminales del termistor *3 dos se deben conectar juntos, los terminales debe ser conectado junto y ser puesto en cortocircuito al embase cuando la prueba del aislamiento será hecha.

 

conductor del módulo de IC 7MBR75UB120-50 IGBT del módulo de poder del Mosfet de 1200V 75A PIM

Contacto
Anterwell Technology Ltd.

Persona de Contacto: Miss. Sharon Yang

Teléfono: 86-755-61352205

Fax: 86-755-61352206

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