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SORBO híbrido del circuito de inversor del módulo de poder del Mosfet de STK621-220A por completo moldeado

De buena calidad chips CI programables para las ventas
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SORBO híbrido del circuito de inversor del módulo de poder del Mosfet de STK621-220A por completo moldeado

China SORBO híbrido del circuito de inversor del módulo de poder del Mosfet de STK621-220A por completo moldeado proveedor
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Ampliación de imagen :  SORBO híbrido del circuito de inversor del módulo de poder del Mosfet de STK621-220A por completo moldeado

Datos del producto:

Lugar de origen: Filipinas
Nombre de la marca: SANYO
Certificación: Original Factory Pack
Número de modelo: STK621-220A

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 5pcs
Precio: Negotiate
Detalles de empaquetado: éntreme en contacto con por favor para los detalles
Tiempo de entrega: 1
Condiciones de pago: T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente: 180pcs
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Descripción detallada del producto
Features1: DCR muy bajo; dirección excelente de la corriente Features2: × de la miniatura 3,0 huella de 3,0 milímetros; menos de 1,5 milímetros de alto
Features3: Frita obediente del plata-Palladium-platino-vidrio de RoHS. Otras terminaciones disponibles en el co Features3: Frita obediente del plata-Palladium-platino-vidrio de RoHS. Otras terminaciones disponibles en el co
Peso: t 40 – magnesio 45 Peso: t 40 – magnesio 45
La temperatura ambiente: e – 40°C a +85°C con la corriente de Irms, +85°C a +125°C con la corriente reducida la capacidad nor La temperatura ambiente: e – 40°C a +85°C con la corriente de Irms, +85°C a +125°C con la corriente reducida la capacidad nor
Temperatura de almacenamiento: Componente: – 40°C al empaquetado de +125°C.: – 40°C a +80°C Temperatura de almacenamiento: Componente: – 40°C al empaquetado de +125°C.: – 40°C a +80°C

SORBO híbrido del circuito de inversor del módulo de poder del Mosfet de STK621-220A por completo moldeado

 

 

MÓDULO DEL HÍBRIDO DEL PODER DEL INVERSOR DE STK621-220A

Del SORBO paquete moldeado por completo

 

Descripción

Este IC es un poder trifásico IC híbrido del inversor que contiene elementos del poder (IGBT y FRD), el pre-conductor, la sobreintensidad de corriente y el circuito de protección excesivo de la temperatura.

 

Uso

• impulsión trifásica del motor del inversor

 

Características

• Integra elementos del poder (IGBT y FRD), el pre-conductor, y el circuito protector.

• Los circuitos protectores incluyendo la sobreintensidad de corriente (línea de autobús), la temperatura excesiva y la protección de la baja tensión de la pre-impulsión se incorporan.

• La entrada directa de las señales de control de nivel del Cmos sin un circuito aislador (photocoupler, etc) es posible.

• La sola impulsión de la fuente de alimentación es posible usando un circuito del tirante con IC incorporado

• El monitor de la temperatura es posible por el termistor dentro de IC

• Superior e inferior simultáneo incorporado EN el circuito de la prevención para prevenir el brazo que pone en cortocircuito con simultáneo EN la entrada para los transistores laterales superiores y más bajos. (El tiempo muerto se requiere para prevenir poner en cortocircuito debido al retraso que cambia.)

• SORBO (el solo paquete en línea) de la estructura completa del molde de la transferencia.

 

Especificaciones absolutas

Grados máximos en Tc = 25°C

 

Parámetro Símbolo Condición Grados Unidad
Voltaje de fuente Vcc + - −, oleada < 500V=""> 450 V
voltaje del Colector-emisor Vce + - U (V, W) o U (V, W) 600 V
Corriente de salida Io +, −, U, V, corriente terminal de W ±30 A
Corriente máxima de la salida Pode +, −, U, V, corriente terminal de W picovatio = 100μs ±45 A
voltaje de fuente del Pre-conductor VD1,2,3,4 VB1 - U, VB2 - V, VB3 - W, VDD - VSS 20 V
Voltaje de la señal de entrada Vin HIN1, 2, 3, LIN1, 2, terminal 3 0 a 7 V
Voltaje del terminal de la FALTA VFAULT Terminal de la FALTA 20 V
Pérdida máxima Paladio Por 1 canal 49 W
Temperatura de empalme Tj IGBT, temperatura de empalme de FRD 150 °C
Temperatura de almacenamiento Tstg   -40 a +125  °C
Temperatura de funcionamiento Tc Temperatura de caso de H-IC -20 a +100 °C
Ajuste del esfuerzo de torsión   Una pieza del tornillo en el tipo tornillo del uso M4 1,17 Nanómetro
Voltaje de Withstand  Fuerza CA de la onda sinusoidal 50Hz 1 minuto 2000 VRMs

En el caso sin la instrucción, el estándar del voltaje es - terminal = voltaje del terminal del VSS. Picos de voltaje *1 desarrollados por la operación de transferencia debido a la inductancia del cableado entre + y – terminales. *2 VD1 = entre VB1-U, VD2 = VB2-V, VD3 = VB3-W, VB4 = VDD-VSS, voltaje terminal. La llanura *3 del disipador de calor debe ser más baja de 0.25m m. *4 la condición de prueba es la CA 2500V, 1 segundo.

 

 

Notas

1. La entrada EN voltaje indica un valor para girar la etapa IGBT de la salida. La entrada del voltaje indica un valor para apagar la etapa IGBT de la salida. A la hora de salida ENCENDIDO, fije el voltaje 0V de la señal de entrada a VIH (max). A la hora de salida APAGADO, fije el voltaje VIL (MINUTO) de la señal de entrada a 5V.

2. Cuando el circuito de protección interno actúa, hay una señal de la falta PRENDIDO (cuando el terminal de la falta es bajo, la señal de la falta está EN estado: la forma de salida es DREN abierto) pero la señal de la falta no traba. Después de extremos de la operación de la protección, vuelve automáticamente en más o menos de 18ms a 80ms y reanuda la condición del principio de la operación. Así pues, después de la detección de señal de la falta, sistema APAGADO (ALTO) a todas las señales de entrada inmediatamente. Sin embargo, la operación de la protección de la baja tensión de la fuente de alimentación de la pre-impulsión (UVLO: tiene una histéresis sobre 0.3V) está como sigue. El → del lado superior allí no es ninguna salida de la señal de la falta, sino que hace una señal correspondiente de la puerta APAGADO. A propósito, vuelve a la operación regular cuando la recuperación al voltaje normal, pero al cierre continúa entre señal de entrada ENCENDIDO (PUNTO BAJO). Baje el → lateral que hace salir la señal de la falta con la señal de la puerta APAGADO. Sin embargo, es diferente de la operación de la protección del lado superior, es automáticamente resetes sobre 18ms a 80ms más adelante y reanuda la condición del principio de la operación al recuperarse al voltaje normal. (La operación de la protección no traba por la señal de entrada.)

3. Cuando la junta de IC híbrido en el disipador de calor con M4 el tipo tornillo, apretando la gama del esfuerzo de torsión es 0.79N•m a 1.17N•m. La llanura del disipador de calor debe ser más baja de 0.25m m.

4. La protección de la baja tensión de la pre-impulsión es la característica para proteger un dispositivo cuando el voltaje de fuente del pre-conductor disminuye con el malfuncionamiento de funcionamiento. En cuanto a la disminución del voltaje de fuente del pre-conductor en caso del principio de la operación, y así sucesivamente, pedimos la confirmación en el sistema.

 

SORBO híbrido del circuito de inversor del módulo de poder del Mosfet de STK621-220A por completo moldeado

Contacto
Anterwell Technology Ltd.

Persona de Contacto: Miss. Sharon Yang

Teléfono: 86-755-61352205

Fax: 86-755-61352206

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