Anterwell Technology Ltd.

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Amplio stock original de IC Componentes Electrónicos, transistores, diodos, etc.

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Tablero de chip de ordenador del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N

De buena calidad chips CI programables para las ventas
De buena calidad chips CI programables para las ventas
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Tablero de chip de ordenador del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N

China Tablero de chip de ordenador del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N proveedor

Ampliación de imagen :  Tablero de chip de ordenador del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N

Datos del producto:

Lugar de origen: Malasia
Nombre de la marca: FSC
Certificación: Original Factory Pack
Número de modelo: FDS6676AS

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 5pcs
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: éntreme en contacto con por favor para los detalles
Tiempo de entrega: día 1
Condiciones de pago: T/T por adelantado u otros
Capacidad de la fuente: 5000e
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Descripción detallada del producto
voltaje de la Dren-fuente: 30V Línea principal:: Ic, módulo, transistor, diodos, condensador, resistor etc
Voltaje de la Puerta-Fuente: ±20V la temperatura: -50-+150°C
Paquete de fábrica: 2500pcs/reel Paquete: SOP-8

Tablero de chip de ordenador del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N

 

 

acción de la original de los componentes electrónicos de PowerTrench FDS6676AS del canal N 30V

 

Descripción general

El FDS6676AS se diseña para substituir un solos MOSFET SO-8 y diodo de Schottky en síncrono

DC: Fuentes de corriente continua. Este MOSFET 30V se diseña para maximizar eficacia de conversión de poder, proporcionando un RDS bajo (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. El FDS6676AS incluye un diodo integrado de Schottky usando la tecnología monolítica de SyncFET de Fairchild.

 

Usos

• Convertidor de DC/DC

• Cuaderno lateral bajo

 

Características

• 14,5 A, 30 mΩ del max= 6,0 del V. RDS (ENCENDIDO) @ VGS = 10 mΩ del max= 7,25 de V RDS (ENCENDIDO) @ VGS = 4,5 V

• Incluye el diodo del cuerpo de SyncFET Schottky

• Carga baja de la puerta (45nC típicos)

• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO) y la transferencia rápida

• Poder más elevado y capacidad de dirección actual

Tablero de chip de ordenador del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N

Grados máximos absolutos TA=25o C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Clasificación Unidad
VDSS  Voltaje de la Dren-Fuente 30 V
VGSS Voltaje de la Puerta-Fuente ±20 V
Identificación

Corriente del dren – continua (nota 1a)

                      – Pulsado  

14,5 A
50
Paladio

Disipación de poder para la sola operación (nota 1a)

                                                   (Nota 1b)

                                                   (Nota 1c)

2,5 W
1,5
1
TJ, TSTG Funcionamiento y gama de temperaturas de empalme del almacenamiento – 55 a +150 °C

 

Características termales

R delθJA Resistencia termal, Empalme-a-Ambiente (nota 1a) 50 W/°C
R delθJC Resistencia termal, Empalme-a-Caso (nota 1) 25

 

Marca del paquete e información el ordenar

Marcado del dispositivo Dispositivo Tamaño del carrete Grabe la anchura Cantidad
FDS6676AS FDS6676AS 13" el 12MM 2500 unidades
FDS6676AS FDS6676AS_NL 13" el 12MM 2500 unidades

 

 

 

 

Contacto
Anterwell Technology Ltd.

Persona de Contacto: Miss. Sharon Yang

Teléfono: 86-755-61352205

Fax: 86-755-61352206

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