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Módulo de poder del Mosfet de la baja tensión

De buena calidad chips CI programables para las ventas
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Hemos cooperar con Anterwell cerca de 7 años. siempre muy buena calidad buen servicio. entrega original y muy rápido. Una muy buena pareja.

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Módulo de poder del Mosfet de la baja tensión

China Módulo de poder del Mosfet de la baja tensión proveedor

Ampliación de imagen :  Módulo de poder del Mosfet de la baja tensión

Datos del producto:

Lugar de origen: Alemania
Nombre de la marca: MOTOROLA
Certificación: Original Factory Pack
Número de modelo: MHL18336

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 5pcs
Precio: Negotiation
Detalles de empaquetado: éntreme en contacto con por favor para los detalles
Tiempo de entrega: día 1
Condiciones de pago: T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente: 285pcs
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Descripción detallada del producto
Función: Tercera intercepción de la orden: tipo de 46 dBm característica2: Aumento del poder: tipo del DB 30 (@ f =1850 megaciclo)
Feature3: Características excelentes del retraso de las linearidades y de grupo de la fase feature4: Ideal para los usos de la estación base del Feedforward
Gama de temperaturas de almacenamiento: – °C 40 a +100 tensión: 30V

AMPLIFICADOR MHL18336 PCS banda de RF LDMOS LINEAL

Diseñado para aplicaciones de amplificador ultra-lineales en sistemas de 50 ohmios que operan en la banda de frecuencia PCS. Un diseño de la clase FET de silicio proporciona una linealidad excelente y la ganancia. Además, las excelentes características de retardo de grupo y linealidad de fase son ideales para sistemas de modulación digital, tales como TDMA y CDMA.

• En tercer lugar Intercepción Orden: 46 dBm Typ

• Ganancia de potencia: 30 dB típica (@ f = 1850 MHz)

• Excelente Fase Características de linealidad y el retardo de grupo

• Ideal para aplicaciones de estación base anticipativo

Clasificación Símbolo Valor Unidad
Tensión de alimentación de CC V DD 30 V dc
Entrada de energía de RF P en +10 dBm
Temperatura de almacenamiento T STG De -40 a +100 DO

Características eléctricas (VDD = 26 V CC, TC = 25 ° C; 50 Ω Sistema)

Característica Símbolo min Typ Max Unidad
Corriente de suministro IDD - 500 525

ganancia de potencia

(F = 1850 MHz)

G P 29 30 31 dB

ganancia Planitud

(F = 1800 a 1900 MHz)

G F - 0,2 0,4 dB

Potencia de salida de 1 dB Comp.

(F = 1850 MHz)

P cabo de 1 dB 35 36 - dBm

VSWR de entrada

(F = 1800 a 1900 MHz)

VSWR en - 1.2: 1 1.5: 1

Tercera Orden Intercepción

(F1 = 1847 MHz, 1852 MHz = f2)

ITO 45 46 - dBm

Figura de ruido

(F = 1850 MHz)

NF - 4.2 4.5 dB

Contacto
Anterwell Technology Ltd.

Persona de Contacto: Miss. Sharon Yang

Teléfono: 86-755-61352205

Fax: 86-755-61352206

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